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雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

簡(jiǎn)要描述：雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術(shù)的擴展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

  • 產(chǎn)品型號：QBT-A
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間：2024-05-08
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：2513

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詳細介紹

    一、雙腔室高真空等離子體ALD設備核心參數：

    價(jià)格區間：100萬(wàn)-200萬(wàn)

    產(chǎn)地類(lèi)別：國產(chǎn)原子層沉積系統（ALD）

    襯底尺寸：Ф200mm

    工藝溫度：RT-500±1ºC

    前驅體數：最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體

    重量：300KG

    尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm

    均勻性：均一性<1%

    二、雙腔室高真空等離子體ALD設備應用原理分析：

    原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

    等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    三、廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供參數、價(jià)格、型號、原理等信息，產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-A，價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB，更多相關(guān)信息可咨詢(xún)，公司客服電話(huà)7*24小時(shí)為您服務(wù)。

    四、主要技術(shù)參數：

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  五、測試結果展示：

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