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PEALD

簡(jiǎn)要描述:雙腔室高真空等離子體PEALD系統是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-05-08
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:1442

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詳細介紹

一、雙腔室高真空等離子體PEALD系統核心參數:  

價(jià)格區間:100萬(wàn)-200萬(wàn)  

產(chǎn)地類(lèi)別:國產(chǎn)原子層沉積系統(ALD)  

襯底尺寸:Ф200mm  

工藝溫度:RT-500±1oC  

前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體  

重量:300KG  

尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm  

均勻性:均一性<1%  


二、雙腔室高真空等離子體ALD系統應用原理分析:  

原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。  

等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。


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四、主要技術(shù)參數:

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五、測試結果展示:

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