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簡(jiǎn)要描述:雙腔室高真空等離子體PEALD系統是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
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一、雙腔室高真空等離子體PEALD系統核心參數:
價(jià)格區間:100萬(wàn)-200萬(wàn)
產(chǎn)地類(lèi)別:國產(chǎn)原子層沉積系統(ALD)
襯底尺寸:Ф200mm
工藝溫度:RT-500±1oC
前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅體
重量:300KG
尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm
均勻性:均一性<1%
二、雙腔室高真空等離子體ALD系統應用原理分析:
原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展,通過(guò)等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時(shí)間,同時(shí)也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實(shí)現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
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四、主要技術(shù)參數:
五、測試結果展示:
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