當前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導體行業(yè)專(zhuān)用儀器 > 原子層沉積設備 > QBT-T雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統
簡(jiǎn)要描述:雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
產(chǎn)品分類(lèi)
Product classification相關(guān)文章
RELATED ARTICLES詳細介紹
一、核心參數:
產(chǎn)地類(lèi)別:國產(chǎn)原子層沉積系統(ALD)
襯底尺寸:6寸
工藝溫度:RT-300℃
前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體,8組液體或固體反應前驅體
重量:300KG
尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm
均勻性:99%
二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。
三、產(chǎn)品描述:
廈門(mén)韞茂科技公司的雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(QBT-T),設備采用雙腔體設計,腔體之間可實(shí)現獨立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計,使設備可以在平片上實(shí)現等離子體ALD的生長(cháng)工藝以及粉末ALD包覆工藝,設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統,保證工藝溫度均勻。該系統具有粉末樣品桶、晶圓載盤(pán)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級安全控制,以及現場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領(lǐng)域研究與應用的最佳研發(fā)工具之一。
四、廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統QBT-T的參數、價(jià)格、型號、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-T,價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB,更多相關(guān)信息可咨詢(xún),公司客服電話(huà)7*24小時(shí)為您服務(wù)。
五、技術(shù)參數:
產(chǎn)品咨詢(xún)
電子郵箱:[email protected]
公司地址:廈門(mén)市集美區集美北大道1068-6號安仁產(chǎn)業(yè)園
業(yè)務(wù)咨詢(xún)微信
微信掃一掃